MOSFET G3R160MT17J

G3R160MT17J este un MOSFET SiC de ultimă generație, cu o tensiune nominală maximă de 1700 V și o rezistență scăzută la starea de 160 mOhm. Tehnologia sa avansată G3RTM permite o acționare +15V gate, rezultând performanțe excelente de comutare și pierderi reduse de comutare.

Acest dispozitiv are o capacitate scăzută a dispozitivului (Coss, CRss) care îmbunătățește foarte mult eficiența în aplicațiile de înaltă frecvență. În plus, oferă un indice cost-performanță superior, ceea ce înseamnă că oferă o valoare remarcabilă pentru prețul său.

G3R160MT17J include o diodă de corp robustă care are o tensiune de recuperare inversă scăzută (Ve) și o sarcină de recuperare inversă scăzută (QR). Acest lucru asigură fiabilitatea în aplicațiile solicitante și permite pierderi reduse de comutare.

Pentru a optimiza și mai mult performanța G3R160MT17J, acesta a fost împachetat cu un pin separat pentru sursa driverului. Acest lucru permite integrarea ușoară în diverse sisteme și asigură un control precis și eficient.