●Advanced Process Technology
●Ultra Low On-Resistance
●Dynamic dv/dt Rating
●175 degree Operating Temperature
●Fast Switching
●Fully Avalanche Rated
●Lead-Free
Descriere
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Pachetul TO-220 este universal preferat pentru toate aplicațiile comercial-industriale la niveluri de disipare a puterii de aproximativ 50 de wați. Rezistența termică scăzută și costul scăzut al pachetului TO-220 contribuie la acceptarea sa largă în întreaga industrie.
Tag-uri populare: irf540npbf, China, furnizori, producatori, en-gros, in stoc
